半導体光増幅器（SOA)

使用したデバイスモデル図（Layer3Dによる表示）。

右進行波成分の光強度分布。プロット断面はデバイス中心を垂直に 共振器方向へ切ったもの。入射光は左端面（z=0um）から入り、増幅され、 右端面（z=500um）から出力されます。

右進行波成分の光出力特性。入力光の大きさは0.1mWです。

活性層における（平衡状態を基準とした）キャリア密度差の変化。

自然放出光(ASE)の右進行波成分の光出力。

ASEスペクトル。