使用したデバイスモデル図（Layer3Dによる表示）。
左進行波成分についての共振器方向の光強度分布。プロット対象の断面は、 デバイスの中心を垂直に共振器方向へ切ったものです。 右端面（z=400um）はARコーティング設定です。 活性層への光の閉じ込めが、共振器全体でほぼ一様であることが分かります。
左進行波成分についての共振器方向の光強度分布。プロット対象の断面は、 活性層に沿って水平に切ったものです。 リッジ幅の変化に伴い、水平方向の光の閉じ込めの様子が変わっています。
電子密度分布。プロット断面は活性層に沿って水平に切ったものです。 リッジ幅が広くなっている個所では、リッジ部境界で複雑な分布になっています。 これは、横方向空間ホールバーニングと電流の集中によるものだと考えられます。
左進行波（緑色）と右進行波（赤色）の光強度分布。右端面（z=400um）は ARコーティングされています。
電流−光強度特性
モードスペクトル