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デバイスシミュレータ本体
(1) PICS3D Fabry-Perot (LASTIP) 　 　 (2) PICS3D 　　 　 (3) APSYS
デバイスシミュレータ オプション
オプションモジュール
概要説明
対応本体
2nd Order Grating 二次の回折格子をDFB/DBRで使用できます
(2)
3D Current Flow/Mesh Connectivity 電気的特性の3次元計算に必要です。(1)では箱型の量子ドットの計算に必要です
(1),(2),(3)
3D Bent Mesh MaskEditor GUIで設計された複雑な３次元形状のメッシュを使用する場合に必要です
(2),(3)
Advanced k.p/Plane orientations
8X8k.p摂動モデルや窒化物半導体における非極性面等の高度なk.p摂動計算を考慮することができます
(1),(2),(3)
Advanced Optics Model/Pumped Laser
多層膜材料中の干渉効果等を考慮した高度な光伝播の計算ができます
(1),(2),(3)
Beam Propagation Method (BPM) 導波路内での光の伝搬をBPM法を使用して解きます
(2)
Csuprem Builder/Mesh interface プロセス・シミュレータCsupremで生成されたデバイス構造を取り込む場合に必要。また、複雑なメッシュ生成する場合も必要です
(2),(3)
Exciton/Manybody Gain 励起子効果を取り入れます　
(1),(2),(3)
FDFD Solver Option Finite Difference Frequency Domain法によるフル・ベクトリアル形式の Maxwell方程式の数値解法でデバイス内外の電磁場を正確に計算することが可能 です。
(2)
FDTD Solver Option FDTD法による電磁場の計算を行う事ができ、LEDや太陽電池の効率向上のために設けられた波長程度の大きさの微細構造による電磁波の散乱を計算する等の計算に有用です。マルチCPU／マルチコアによる並列計算や、GPUでの計算にも対応しています。
(3)
Fiber/External-Cavity ファイバーレーザ用オプションです
(2)
Franz-Keldysh (Bulk modulator) Franz-Keldysh効果が考慮できます
(2),(3)
Hot Carrier Injection Model TFT等の半導体デバイスにおける絶縁層と半導体層の界面で生じるホットキャリア効果の為の物理モデルです
(1),(2),(3)
Intersubband (QWIP/QCL) QWIPや量子カスケードレーザが計算できます
(1),(2),(3)
LED (1D analytical model) 導波路形状が矩形のLEDの計算に必要です。複雑な形状のLEDを扱う場合には、このオプションの代わりにRay Tracing Optionが必要です。
(3)
Multicavity Option 複数の共振器構造を持つレーザの計算に必要です
(1),(2)
Micro cavity 変数分離方法を使わずマクスウェル方程式の厳密解を得ます。任意のFEMメッシュ構造が可能です。
(1),(2)
Mixed Mode Simulation SPICE側で定義された回路内素子の動作を置き換えた計算を行い、より正確なシミュレーション結果が得られます。
(1),(2),(3)
NEGF Option Non-equilibrium Green's Function(NEGF) transport model を用いた特殊なキャリア輸送モデルが使えるとなり、Nanowire MOSFET のようなデバイスでは重要となる物理モデルです。
(1),(2),(3)
OLED/Polymer semiconductors 有機ELや有機トランジスタの計算に必要です
(3)
Photonic Crystal LED (PhCLED) フォトニック結晶とLEDを組み合わせた計算に必要です
(3)
PML/EEIM (radiative/leaky modes) 放射モードの計算に使います
(1),(2),(3)
Quantum Dots 量子ドット計算用のオプションです
(1),(2),(3)
Quantum Tunneling/Transport 量子トンネル効果や非平衡量子キャリア輸送モデルが使用できます
(1),(2),(3)
Ray Tracing 光線追跡法でLEDから出た光を計算します
(3)
Resonant Cavity LED (RCLED) RCLEDの計算に必要です
(3)
Rotated MQW 座標軸の垂直面に積層されないMQWが存在する場合に必要になります。
(1),(2),(3)
Self-Consistent MQW/Piezo　 量子井戸に強い電界がかかった場合の計算に必要です
(1),(2),(3)
SOA Modulator PICS3Dで光増幅器を計算するときに必要です
(2)
Thermal Option 非一様な熱分布や熱拡散の計算に必要です
(1),(2),(3)
Type II MQW transprot Type II型量子井戸構造の計算に必要です
(1),(2),(3)
VCSEL model　 面発光レーザの計算に必要です
(2)
Waveguide/Eigensolver 導波路での光モードを計算します
(3)
プロセスシミュレータ(Power device, MEMS) CSUPREM
プロセスシミュレータ(MOCVD) PROCOM 　 　　　　　　　　　
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