APSYSによる計算例

• NPN bipolar junction transistor
  
  
  

  シミュレーションに用いたNPNバイポーラトランジスタのモデル

  

  バンド図

  

  I-V特性図

  

  交流特性

  

  ２端子対回路のＹパラメータ（実部）

  

  ２端子対回路のＹパラメータ（虚部）

  

  ２端子対回路のS11, S22パラメータ

  

  ２端子対回路のS21, S12パラメータ

• n型MOSFET
  
  
  

  n型MOSFETのモデル図

  

  Id-Vd特性図

  

  電子とホールの分布図

  

  電子エネルギー分布図

• 自己発熱を考慮したバイポーラ・トランジスターのシミュレーション
  
  
  

  シミュレーションに使用したデバイスモデル図

  

  温度分布の鳥瞰図。Emitter付近で温度が高くなっています。

  

  異なる温度におけるIc-Vc特性の比較。

• High Electron Mobility Transistor(HEMT)
  
  
  

  使用したデバイスモデル図（LayerBuilderによる表示）。

  

  デバイス中央部、縦方向のバンド図。

  

  電流分布のベクトル表示。

  

  I-V特性図（ドレイン）。

  

  チャンネル層付近で局在した波動関数とエネルギーレベル。

• レイトレーシング法を用いたLEDのシミュレーション例
  
  
  

  TIP構造LED（左）とResonant Cavity LED（右）のモデル図。

  

  TIP-LEDのレイトレーシング実行画面。

  

  光出力の角度分布図。

  

  光束のエネルギー分布図