PICS3Dによる計算例

• 酸化狭窄層を持つVCSELについての計算例
  
  
  

  使用したデバイスモデル断面図（デバイス右半分）。

  

  デバイス中央部、縦方向のバンド図（平衡状態計算時）。

  

  電流のベクトル表示。

  

  電子密度の鳥瞰図

  

  I-L特性図

  

  NFP光強度分布図

• 2nd order grating DFBレーザについての計算例
  
  
  

  使用したデバイスモデル図。

  

  電流のベクトル表示。

  

  電子密度の鳥瞰図

  

  NFP光強度分布

  

  端面からの光出力

  

  表面からの光出力

  

  表面での光強度分布

  

  モードスペクトル

• Taper構造レーザについての計算例
  
  
  

  使用したデバイスモデル図（Layer3Dによる表示）。

  

  左進行波成分についての共振器方向の光強度分布。プロット対象の断面は、 デバイスの中心を垂直に共振器方向へ切ったものです。 右端面（z=400um）はARコーティング設定です。 活性層への光の閉じ込めが、共振器全体でほぼ一様であることが分かります。

  

  左進行波成分についての共振器方向の光強度分布。プロット対象の断面は、 活性層に沿って水平に切ったものです。 リッジ幅の変化に伴い、水平方向の光の閉じ込めの様子が変わっています。

  

  電子密度分布。プロット断面は活性層に沿って水平に切ったものです。 リッジ幅が広くなっている個所では、リッジ部境界で複雑な分布になっています。 これは、横方向空間ホールバーニングと電流の集中によるものだと考えられます。

  

  左進行波（緑色）と右進行波（赤色）の光強度分布。右端面（z=400um）は ARコーティングされています。

  

  電流−光強度特性

  

  モードスペクトル

• 半導体光増幅器（SOA)についての計算例
  
  
  

  使用したデバイスモデル図（Layer3Dによる表示）。

  

  右進行波成分の光強度分布。プロット断面はデバイス中心を垂直に 共振器方向へ切ったもの。入射光は左端面（z=0um）から入り、増幅され、 右端面（z=500um）から出力されます。

  

  右進行波成分の光出力特性。入力光の大きさは0.1mWです。

  

  活性層における（平衡状態を基準とした）キャリア密度差の変化。

  

  自然放出光(ASE)の右進行波成分の光出力。

  

  ASEスペクトル。

• 波長可変レーザについての計算例
  
  
  

  使用したデバイスモデル図。

  

  バンド図。

  

  右進行波成分の光強度分布。パッシブ領域で光が減衰していることが分かります。

  

  MQW近傍における電子密度分布。

  

  左端面(z=0)からの光出力特性図。

  

  発振波長のチューニング電流依存性。

  

  チューニング電流が小さい時のスペクトル図。

  

  チューニング電流が大きい時のスペクトル図。